وصف الهدف من سيلنيد القصدير (SnSe)
يتميز الهدف من سيلنيد القصدير (SnSe Target) بمزيج فريد من الخصائص الهيكلية والكهربائية والحرارية مما يجعله ذا قيمة عالية في ترسيب الأفلام الرقيقة. يتبلور في هيكل طبقي معيني، مما يسمح بالنقل القطبي ذي الاتجاه المتباين وسلوك حراري كهربائي ممتاز. يوفر الهدف عمومًا نقاءً عاليًا (≥99.9%)، مما يضمن الحد الأدنى من التلوث أثناء عملية الرش. يمتلك SnSe نقطة انصهار منخفضة نسبيًا (~861 درجة مئوية) وكثافة معتدلة (~6.18 غ/cm³) مما يسهل ترسيب الفيلم بشكل منتظم. طبيعته شبه الموصلة، مع فجوة نطاق ضيقة وقابلة للتعديل (~0.9-1.3 eV اعتمادًا على الاتجاه البلوري)، تمكن من التحكم الدقيق في الخصائص الإلكترونية والبصرية في الأفلام الرقيقة الناتجة. علاوة على ذلك، يظهر SnSe موصلية حرارية منخفضة ومعامل سيبيك مرتفع، مما يجعله مادة مثالية لتطبيقات جمع الطاقة. تدعم استقرار الهدف الميكانيكي وتوافقه الكيميائي مع مختلف Substrates استخدامه في الأجهزة الحرارية الكهربائية والإلكترونية البصرية والطاقة الشمسية ذات الكفاءة العالية.
مواصفات هدف سيلنيد القصدير (SnSe)
الخصائص
|
المادة
|
SnSe
|
|
النقاء
|
99.9%
|
|
نقطة الانصهار
|
861 °C
|
|
الكثافة
|
6.18 غ/cm3
|
|
الشكل
|
قرص مسطح
|
|
الرش
|
RF، RF-R، DC
|
|
نوع الربط
|
إنديوم، مطاط مرن
|
*معلومات المنتج أعلاه تستند إلى بيانات نظرية. للمتطلبات المحددة والاستفسارات التفصيلية، يرجى الاتصال بنا.
الحجم: مخصص
تطبيقات هدف سيلنيد القصدير (SnSe)
يستخدم هدف سيلنيد القصدير (SnSe Target) على نطاق واسع في صنع الأفلام الرقيقة لمجموعة متنوعة من التطبيقات المتقدمة. يكمن تطبيقه الرئيسي في الأجهزة الحرارية الكهربائية، حيث تجعل موصلية الحرارة المنخفضة ومعامل سيبيك العالي منه مثاليًا لتحويل الحرارة إلى كهرباء بكفاءة عالية. في الطاقة الشمسية، يتم استكشاف الأفلام الرقيقة من SnSe كطبقات ماصة نظرًا لفجوة نطاقها المناسبة وتركيبها المتوافر في الأرض. بالإضافة إلى ذلك، تستخدم أهداف SnSe في كاشفات الأشعة تحت الحمراء، والأجهزة الإلكترونية البصرية، وأجهزة الذاكرة، مستفيدة من خصائصها شبه الموصلة والتغيير الطوري. كما يبحث الباحثون في استخدام SnSe للإلكترونيات المرنة والموصلات الشفافة بفضل سلوك النقل المتباين الفريد لها وتوافقها مع عمليات المعالجة عند درجات حرارة منخفضة.
تغليف هدف سيلنيد القصدير (SnSe)
تُعبأ منتجاتنا في كراتين مخصصة بأحجام مختلفة بناءً على أبعاد المادة. يتم تعبئة العناصر الصغيرة بأمان في صناديق PP، بينما توضع العناصر الأكبر في صناديق خشبية مخصصة. نحن نضمن الالتزام الصارم بتخصيص التغليف واستخدام مواد التبطين المناسبة لضمان حماية مثلى أثناء النقل.
التغليف: كارتون، صندوق خشبي، أو مخصص.
عملية التصنيع
1. موجز سير عملية التصنيع
2. طريقة الاختبار
- تحليل التركيب الكيميائي - يتم التحقق منه باستخدام تقنيات مثل GDMS أو XRF لضمان الامتثال لمتطلبات النقاء.
- اختبار الخصائص الميكانيكية - تشمل اختبارات الشد، القوة العائدة، واختبارات الاستطالة لتقييم أداء المادة.
- تفتيش الأبعاد - يقيس السمك والعرض والطول لضمان الالتزام بالتفاوتات المحددة.
- تفتيش جودة السطح - يتحقق من العيوب مثل الخدوش أو الشقوق أو الشوائب من خلال الفحص البصري والموجات فوق الصوتية.
- اختبار الصلابة - يحدد صلابة المادة للتحقق من تجانسها وموثوقيتها الميكانيكية.
الأسئلة المتداولة حول هدف سيلنيد القصدير (SnSe)
س1: ما هو مستوى النقاء لأهداف SnSe التي تقدمها SAM؟
ج1: تقدم SAM عادة أهداف SnSe بنقاء 99.9% أو أعلى لضمان ترسيب أفلام رقيقة عالية الأداء وبدون تلوث.
س2: ما هي طرق الرش المتوافقة مع أهداف SnSe؟
ج2: تتوافق أهداف SnSe مع الرش بال RF وDC magnetron، اعتمادًا على المعدات المحددة ومتطلبات الفيلم.
س3: كيف يجب تخزين أهداف سيلنيد القصدير؟
ج3: يجب تخزين أهداف SnSe في بيئة جافة وخاملة لتجنب التأكسد أو التدهور، حيث يمكن أن تكون مركبات السيلينيوم حساسة للرطوبة والهواء مع مرور الوقت.
جدول مقارنة الأداء مع المنتجات المنافسة
هدف سيلنيد القصدير (SnSe) مقابل المواد المنافسة
|
الخاصية
|
هدف SnSe
|
هدف Bi₂Te₃
|
هدف PbTe
|
|
النقاء
|
≥99.9% (بلور متعدد، بعد المعالجة)
|
≥99.5% (تلوث Te)
|
≥99.0% (تقلب Pb)
|
|
الكثافة
|
6.2-6.5 غ/cm³ (95% النظرية)
|
7.7-7.9 غ/cm³ (~98%)
|
8.2-8.5 غ/cm³ (~97%)
|
|
الاستقرار الحراري (درجة مئوية)
|
500-800 (بلور متعدد، خالٍ من الأكسيد)
|
≤450 (تسامي Te)
|
≤700 (أكسدة)
|
|
الموصلية الحرارية
|
0.07-0.32 واط/م·ك
|
1.5 واط/م·ك
|
2.0 واط/م·ك
|
|
القوة الميكانيكية
|
قوة الانحناء: 250-300 ميغاباسكال
|
50-100 ميغاباسكال (هشة)
|
80-120 ميغاباسكال (خطورة التشقق)
|
|
معدل الرش
|
120-180 نانومتر/دقيقة
(DC، 500 واط)
|
80-100 نانومتر/دقيقة
(RF، 300 واط)
|
90-130 نانومتر/دقيقة
(DC، 400 واط)
|
المعلومات ذات الصلة
- المواد الخام - القصدير (Sn)
القصدير هو معدن طري وقابل للسحب بلون أبيض فضي برقم ذري 50 وينتمي إلى المجموعة 14 في الجدول الدوري. له نقطة انصهار منخفضة نسبياً تبلغ حوالي 231.9 درجة مئوية وكثافة تبلغ 7.31 غ/cm³. معروف بمقاومته الممتازة للتآكل، يشكل القصدير طبقة أكسيد واقية تمنع المزيد من الأكسدة، مما يجعلها مفيدة لتغطية المعادن الأخرى لمنع الصدأ (مثل الفولاذ المطلي بالقصدير). كما أنه عنصر رئيسي في مجموعة متنوعة من السبائك، مثل البرونز (مع النحاس) واللحام (مع الرصاص أو الفضة). يتميز القصدير بموصلية كهربائية جيدة ويستقر كيميائيًا، مما يدعم استخدامه في الإلكترونيات والتغليف والمواد المتقدمة.
- المواد الخام - السيلينيوم (Se)
السيلينيوم هو عنصر غير معدني له خصائص شبه موصلة وقابلية للتوصيل الضوئي، مما يجعله ذا قيمة كبيرة في الإلكترونيات الرقيقة ومواد الطاقة الشمسية. يشكل مركبات مستقرة مع المعادن ويساهم في التحكم الدقيق في فجوة النطاق والتفاعلية الكيميائية في عمليات الرش.
المواصفات
الخصائص
|
المادة
|
SnSe
|
|
النقاء
|
99.9%
|
|
نقطة الانصهار
|
861 °C
|
|
الكثافة
|
6.18 g/cm3
|
|
الشكل
|
قرص مسطح
|
|
الرش
|
RF, RF-R, DC
|
|
نوع الربط
|
إنديوم، مطاط
|
*معلومات المنتج أعلاه تستند إلى بيانات نظرية. لأي متطلبات محددة واستفسارات تفصيلية، يرجى الاتصال بنا.
الحجم: مخصص
تقييمات العملاء
لا توجد تقييمات للمنتجات الحالية.
