رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SC8592 رقاقة السيليكون على العازل SOI (110) Dia. 8 بوصة

رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI (110) Dia. 8 بوصة الوصف

توفر رقاقة السليكون على العازل (SOI) ذات الاتجاه (110) وقطر 8 بوصة خصائص كهربائية وميكانيكية فائقة لمجموعة واسعة من تطبيقات أشباه الموصلات المتقدمة. تعزز المحاذاة البلورية (110) من حركة الناقل، مما يجعلها مثالية للإلكترونيات الدقيقة عالية الأداء وأجهزة الطاقة. تضمن طبقة الأكسيد المصممة بعناية عزل عازل كهربائي فعال، مما يقلل من السعة الطفيلية مع تحسين التوصيل الحراري لتحسين موثوقية الجهاز. يدعم هذا التصميم القوي التحكم المحكم في الأبعاد، مما يقلل من كثافة العيوب ويعزز التوحيد الكلي للرقاقة.

يتم تصنيع كل رقاقة وفقًا لمعايير الجودة الصارمة، وتخضع كل رقاقة لاختبارات صارمة لضمان الحد الأدنى من الشوائب والسماكة المتناسقة والسلامة الممتازة للعزل الكهربائي. تساعد هذه المواصفات الرائدة في الصناعة على تقليل استخدام الطاقة وزيادة سرعة التشغيل وإطالة عمر الجهاز. وسواء تم استخدامها في مستشعرات MEMS أو المعالجات عالية السرعة، توفر رقاقة SOI هذه أداءً لا مثيل له لتلبية متطلبات الجيل التالي من تقنيات أشباه الموصلات.

رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI (110) ضياء. تطبيقات 8 بوصات

توفر رقاقات السيليكون على العازل (SOI) ذات الاتجاه (110) والقطر 8 بوصة منصة متقدمة للتطبيقات الإلكترونية والضوئية عالية الأداء. تقلل طبقتها العازلة من السعة الطفيلية، مما يتيح سرعة فائقة للجهاز واستهلاك أقل للطاقة. تساعد هذه الرقاقات الباحثين والمهندسين والمصنعين على إنشاء منتجات مبتكرة في مختلف الصناعات، بالإضافة إلى التوصيل الحراري الممتاز وتقليل تيارات التسرب، مما يعزز الموثوقية والدقة في التطبيقات الحرجة.

1- تطبيقات الإلكترونيات وأشباه الموصلات

-دوائر CMOS المتكاملة عالية السرعة مع انخفاض استهلاك الطاقة

-أجهزة ذاكرة منخفضة التسرب الحالي لتحسين الاحتفاظبالبيانات

-أجهزة الكشف الضوئي التي تتيح تحسين حركة الناقل واكتشافالإشارات

2- الأجهزة الطبية وأجهزة الرعاية الصحية

- أجهزة استشعار حيوية توفر نتائجتشخيصية سريعة ودقيقة

-الأدوات الجراحية طفيفة التوغل ذات الأداء المستقر

-رقائق قابلة للزرع تضمن المراقبة الدقيقة للمعاييرالحيوية

3 - البحث والتطوير

- تصميم نماذج أوليةلتصميمات الترانزستور المتقدمة مع عزلأفضل

-إنشاء أجهزة MEMS وNEMS متخصصة لابتكارأجهزة الاستشعار

-التحقيق في تكامل المواد الجديدة للجيل القادم من الإلكترونيات الدقيقة

رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI رقاقة SOI (110) ضياء. تغليف 8 بوصة

تُشحن رقاقات رقاقات السيليكون على العازل (SOI) بقياس (110) بقياس 8 بوصة في حامل رقاقة مختومة ومبددة للكهرباء الساكنة للحماية من التلف المادي والكهروستاتيكي. يضمن التشبيك برغوة متخصصة الحد الأدنى من التلامس السطحي، مما يمنع الخدوش والتلوث بالجسيمات. تخزينها في بيئة جافة يتم التحكم في درجة حرارتها للحفاظ على سلامة المنتج. تطهير النيتروجين عالي النقاء اختياري لمزيد من الحماية. تتوفر تكوينات تغليف مخصصة لتلبية متطلبات العملاء المحددة، مما يضمن النقل الآمن والحفاظ على جودة الرقاقة.

التغليف: مختومة بتفريغ الهواء أو صندوق خشبي أو حسب الطلب.

رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI رقاقة SOI (110) Dia. الأسئلة الشائعة 8 بوصة

س 1: ما هي الخصائص المادية الرئيسية لرقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI Wafer (110) ضياء (110) Dia. 8 بوصة؟

A1: توفر رقاقة السيليكون على العازل ذات الاتجاه (110) طبقة جهاز مخدر عادةً (من النوع p أو n)، وطبقة أكسيد عازلة توفر عزلًا كهربائيًا، ورقاقة مقبض داعمة لتحقيق الاستقرار الميكانيكي. يضمن القطر 8 بوصة مساحة سطح كبيرة لتصنيع الجهاز. وبفضل كثافة العيوب المنخفضة والسماكة الموحدة والتوصيل الحراري الممتاز، فإن هذه الرقائق مناسبة لعمليات أشباه الموصلات المتقدمة والتطبيقات الإلكترونية عالية الأداء.

س2: كيف ينبغي التعامل مع رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI Wafer (110) Dia. 8 بوصة وتخزينها؟

ج2: يجب التعامل مع رقاقات SOI في بيئة غرفة نظيفة باستخدام قفازات خالية من المسحوق وملاقط غير معدنية لمنع التلوث أو الخدش. يجب تخزينها في حاوياتها الأصلية أو حاملات الرقائق المتخصصة التي تحميها من الإجهاد الميكانيكي. يجب التحكم في درجة الحرارة والرطوبة عن كثب لتجنب امتصاص الرطوبة أو الالتواء. تساعد إجراءات الفحص والتنظيف المنتظمة في الحفاظ على جودة سطح ثابتة لتصنيع الأجهزة بشكل موثوق.

س3: ما هي معايير الجودة والشهادات التي تنطبق على رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI Wafer (110) Dia. 8 بوصة؟

ج3: تتوافق رقاقات SOI هذه عادةً مع معايير SEMI M1 لأبعاد الرقاقة والتسطيح والنظافة. وغالباً ما يتبع المصنعون أنظمة إدارة الجودة الصارمة ISO 9001 أو IATF 16949 لضمان الاتساق وإمكانية التتبع. عادةً ما يتم التحقق من الخصائص الكهربائية والسطحية باستخدام المقاييس الموحدة، مثل قياس السُمك واختبار المقاومة وفحص العيوب. قد يتم أيضًا تطبيق الامتثال للوائح RoHS وREACH، اعتمادًا على التطبيق المقصود.

معلومات ذات صلة

1. عملية التصنيع

بالاستفادة من تقنيات نقل الطبقات المتقدمة، تبدأ عملية تصنيع رقاقة السيليكون على رقاقة رقاقة السيليكون على العازل SOI (110) Dia. 8 بوصة تبدأ عادةً بتحضير رقاقة المقبض ورقاقة الجهاز. يتم تنظيف رقاقة المقبض جيدًا لإزالة أي ملوثات سطحية محتملة، بينما تخضع رقاقة الجهاز لإجراء ربط متخصص لضمان ثبات طبقات الأكسيد. وبمجرد الترابط، تخضع الرقاقة المدمجة لعملية تلدين بدرجة حرارة عالية لتشكيل واجهة ثابتة تحافظ على السلامة الهيكلية أثناء خطوات الترقيق الدقيق اللاحقة.

خلال مرحلة الترقيق، يتم تقليل رقاقة الجهاز بعناية إلى السماكة المطلوبة، مما يؤدي في النهاية إلى طبقة السيليكون الموحدة الضرورية لتحقيق أداء كهربائي متسق. ويسمح الاتجاه (110) بمزايا محددة لحركة القناة، مما يعزز قدرات الجهاز في الإلكترونيات الدقيقة عالية الأداء. أخيرًا، تخضع رقاقة SOI لجولات متعددة من التلميع والفحص للتأكد من طبوغرافية سطحها البكر ووظائفها قبل تسليمها لتصنيع المكونات.

2. التطبيقات في الصناعات المتقدمة

إن المتطلبات المتطورة للأجهزة عالية السرعة والموفرة للطاقة تجعل من رقاقة السيليكون على العازل SOI Wafer (110) Dia. 8 بوصة ركيزة مهمة في مجالات مثل الفضاء وتكنولوجيا السيارات والأجهزة الطبية. وتعزز خصائص العزل المحسّنة التي توفرها تقنية SOI تقليل تيارات التسرب في تصميمات الجهد العالي، مما يضمن سلوكًا ثابتًا للجهاز حتى في الظروف البيئية القاسية. وعلاوة على ذلك، يُعرف اتجاه السطح (110) بحركته المعززة للثقب، مما يجعله خيارًا ممتازًا للدوائر التي تتطلب أداءً فائقًا للترانزستور.

تستفيد كبرى الشركات المصنعة لأشباه الموصلات من رقائق SOI مقاس 8 بوصة لتطوير دوائر متكاملة ذات سعات طفيلية أقل، مما يؤدي إلى نقل أسرع للإشارة. وبالإضافة إلى ذلك، يوفر العزل الحراري المرتفع بين الطبقات زيادة موثوقية المكونات، مما يجعل منصة SOI خياراً مفضلاً في الوحدات الإلكترونية المدمجة. ونتيجة لذلك، تستفيد التطبيقات المتطورة من استهلاك أقل للطاقة، وكثافة تعبئة محسنة، وميزة تنافسية في الابتكار المتطور.