CY9492 CY9492 رقاقة رقاقة السيليكون من النوع N (مخدر P) 100 مم (100)، SSP، 0.001-0.01 أوم-سم

رقاقة رقاقة رقاقة السيليكون من النوع N (مخدر P) 100 مم من الدرجة الأولى (100)، SSP، 0.001-0.01 أوم-سم الوصف

صُنعت الرقاقة من السيليكون عالي النقاء مع اتجاه من الدرجة الأولى (100)، مما يضمن خصائص بلورية مثالية لتكامل الجهاز. وينتج عن التطعيم من النوع N مع دمج P المتحكم فيه نطاق مقاومة من 0.001-0.01 أوم-سم وهو أمر بالغ الأهمية للسلوك الإلكتروني الدقيق. توفر طبقة SSP النهائية سطحًا أملسًا ومقللًا من العيوب، مما يساعد على معالجة أشباه الموصلات عالية الإنتاجية. يوفر التوزيع الموحد للمنشطات ومستويات التلوث المنخفضة أداءً كهربائيًا متسقًا عبر الرقاقة.

رقاقة رقاقة رقاقة السليكون من النوع N (مخدر P) 100 مم من الدرجة الأولى (100)، SSP، 0.001-0.01 أوم-سم تطبيقات

الإلكترونيات
- تُستخدم كركيزة للدوائر المتكاملة في أجهزة أشباه الموصلات لتحقيق تشكيلات منشطات مضبوطة من خلال الاستفادة من اتجاهها المحدد (100) وتشطيبها من الدرجة SSP.
- يُستخدم كمادة أساسية في تصنيع الترانزستور عالي السرعة لتحقيق فقدان منخفض للإشارة من خلال الاستفادة من نطاق مقاومته المحددة.

صناعي
- تُستخدم في صفائف المستشعرات لتأمين خصائص كهربائية مستقرة من خلال الاستفادة من المنشطات P الموحدة، مما يقلل من التباين في ظل الظروف البيئية المتغيرة.
- تُستخدم كطبقة تأسيسية في الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة لضمان سلوك إلكتروني دقيق من خلال التوجيه البلوري المتحكم فيه.

رقاقة رقاقة السيليكون من النوع N (مخدر P) 100 مم من الدرجة الأولى (100)، SSP، 0.001-0.01 أوم-سم التعبئة

يتم تأمين الرقاقات بشكل فردي في ناقلات مضادة للكهرباء الساكنة مع حشوة رغوية ومختومة في أكياس عازلة للرطوبة لمنع التلوث والتلف الميكانيكي. يجب تخزينها في بيئة نظيفة يتم التحكم في درجة حرارتها لتجنب الإجهاد الحراري والأكسدة. وتتوفر خيارات تغليف مخصصة، بما في ذلك الختم بالتفريغ من الهواء وبيئات الغاز الخامل، لتلبية متطلبات التخزين المتخصصة.

الأسئلة المتداولة

س1: كيف يتم ضمان تسطيح الرقاقة وتقليل العيوب أثناء الإنتاج؟
تستخدم SAM معالجة كيميائية دقيقة وفحوصات SEM عالية الدقة لمراقبة توحيد السطح وكثافة العيوب. تقيّم هذه العملية الاختلافات في السُمك عبر الرقاقة وتقلل من العيوب الدقيقة، مما يضمن تسطيح الرقاقة بشكل متسق لتطبيقات أشباه الموصلات.

س2: ما هي ظروف التخزين الموصى بها لرقائق السيليكون هذه؟
ج2: ج2: قم بتخزين الرقاقات في بيئة منخفضة الرطوبة خاضعة للتحكم في درجة حرارة الغرفة الثابتة. استخدم عبوات مضادة للكهرباء الساكنة ومقاومة للرطوبة لمنع التلوث والإجهاد الميكانيكي أثناء المناولة والنقل.

س3: كيف تحافظ عملية الإنتاج على نطاق المقاومة المحدد؟
ج3: تشتمل عملية التصنيع على منشطات P خاضعة للتحكم مع مراقبة المقاومة أثناء العملية. ويضمن ذلك بقاء كل رقاقة في نطاق 0.001-0.01 أوم سم، مما يتيح أداءً كهربائيًا متسقًا ضروريًا لتصنيع أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة.

معلومات إضافية

تُعد رقاقات السيليكون بمثابة المادة الأساسية في تكنولوجيا أشباه الموصلات، حيث يعد التحكم الدقيق في توزيع المنشطات والتوجيه البلوري أمرًا حيويًا. ويؤثر الجمع بين الخصائص الكهربائية المحددة جيداً وجودة السطح تأثيراً مباشراً على أداء الجهاز وتعقيد التكامل. يُعد القياس التفصيلي وظروف المعالجة الخاضعة للرقابة أمرًا ضروريًا لتحقيق خصائص المواد الدقيقة المطلوبة في الأنظمة الإلكترونية الحديثة.

تستمر التطورات في تقنيات التخدير وأساليب المعالجة السطحية في دفع التحسينات في أداء الرقاقات. لا تعزز هذه التطورات موثوقية أجهزة أشباه الموصلات فحسب، بل تتيح أيضًا المزيد من التصغير والتكامل في مختلف الصناعات عالية التقنية.