{{flagHref}}
المنتجات
  • المنتجات
  • الفئات
  • المدونة
  • البودكاست
  • التطبيق
  • المستند
|
/ {{languageFlag}}
اختر اللغة
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
اختر اللغة
Stanford Advanced Materials {{item.label}}

CY9484 200 مم رقاقة رقاقة سيليكون من النوع P (مخدرة B) رقاقة سيليكون من الدرجة الأولى (100)، SSP، 1-50 أوم-سم

رقم الكتالوج CY9484
المواد سي
الشكل القرص
الاستمارة الركيزة

ركيزة رقاقة السيليكون من النوع P (مخدرة ب) 200 مم ركيزة رقاقة السيليكون من الدرجة الأولى (100)، SSP، 1-50 أوم-سم هي ركيزة سيليكون مع تخدير البورون المتحكم فيه لتحقيق مقاومة كهربائية في نطاق 1-50 أوم-سم واتجاه بلوري من الدرجة الأولى (100). تطبق Stanford Advanced Materials (SAM) تقنيات نمو بلورية متقدمة وفحص بصري تدريجي للتحقق من توزيع المنشطات بشكل موحد والحد الأدنى من العيوب السطحية. وتدعم هذه التدابير التكامل الدقيق في تدفقات عملية أشباه الموصلات.

الاستفسار
أضف للمقارنة
وصف
المواصفات
التعليقات

طلب عرض أسعار

أرسل لنا استفسارًا اليوم لمعرفة المزيد والحصول على أحدث الأسعار. شكرًا لك!

* اسمك
* بريدك الإلكتروني
* اسم المنتج
* هاتفك
* البلد

الإمارات العربية المتحدة

    التعليقات
    أود الاشتراك في القائمة البريدية لتلقي التحديثات من Stanford Advanced Materials.
    أرفق الرسومات:

    تخزين الملفات هنا أو

    * التحقق من الرمز
    أنواع الملفات المقبولة: PDF، png، jpg، jpeg. قم بتحميل عدة ملفات مرة واحدة؛ يجب أن يكون حجم كل ملف أقل من 2 ميغابايت.
    اترك رسالة
    اترك رسالة
    * اسمك:
    * بريدك الإلكتروني:
    * اسم المنتج:
    * هاتفك:
    * التعليقات: