ركيزة رقاقة كربيد السيليكون كربيد السيليكون SiC ركيزة 12 بوصة من نوع 4H SEMI (HPSI) الوصف
صُممت رقاقة رقاقة كربيد السيليكون (SiC) مقاس 12 بوصة 4H (SiC) بدقة فائقة لتقديم خصائص مواد استثنائية ضرورية للجيل القادم من أجهزة الطاقة وأجهزة أشباه الموصلات عالية التردد. تتميز هذه الرقاقة بتقنية شبه عازلة عالية النقاء (HPSI)، وتتميز هذه الرقاقة بتوصيل حراري متميز، واستقرار كيميائي ممتاز، وحركة إلكترونية فائقة. وتساعد هذه السمات على تقليل فقد الطاقة وزيادة الكفاءة في التطبيقات الصعبة، مما يجعلها مثالية لإلكترونيات الطاقة المتقدمة ومضخمات الترددات اللاسلكية وأنظمة التحويل عالية الجهد.
يتم تصنيع كل ركيزة بما يتوافق مع معايير SEMI الصارمة، مما يضمن سُمكًا ثابتًا وكثافة منخفضة للعيوب وجودة سطح استثنائية. تضمن عمليات الفحص الصارمة داخل الشركة والضوابط الصارمة للعملية أداءً وموثوقية قابلة للتكرار. باختيارك ركيزة 4H SiC، يمكنك الوصول إلى مادة متطورة مصممة لدعم تصنيع الأجهزة عالية الأداء وتمكين الاختراقات التكنولوجية في تطبيقات أشباه الموصلات ذات فجوة النطاق العريض.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC الركيزة 12 في تطبيقات أشباه الموصلات من النوع 4H (HPSI)
تبرز رقائق كربيد السيليكون (SiC) 4H من رقائق كربيد السيليكون (SiC) من النوع SEMI مقاس 12 بوصة (HPSI) بفضل توصيلها الحراري الاستثنائي واستقرارها الكيميائي وقدراتها ذات فجوة النطاق العريض. تتيح هذه الميزات المميزة أداءً فائقًا في التطبيقات عالية الطاقة والتردد العالي، مما يجعلها لا غنى عنها في مختلف الصناعات المدنية. تُعدّ هذه الركائز مثالية للبيئات القاسية، وتشكل الأساس للجيل القادم من الإلكترونيات وأنظمة الطاقة المتجددة وغيرها من المساعي التجارية المتطورة.
1- تطبيقات الإلكترونيات وأشباه الموصلات
-التطبيق 1: تصنيع الصمامات الثنائية والترانزستورات عالية الجهد لإدارة الطاقة بكفاءة في الدوائر الإلكترونية المتقدمة
-التطبيق 2: إنتاج مكونات عالية التردد في معدات الاتصالات السلكية واللاسلكية لنقل البيانات بشكل أسرع
2 - تكنولوجيا الطب والرعاية الصحية
-التطبيق 1: تطوير أجهزة استشعار فائقة الدقة وأدوات تشخيصية تستفيد من الاستقرار الكيميائي للركيزة
-التطبيق 2: إنشاء أجهزة تصوير مدمجة وعالية الأداء مصممة لتشخيص المرضى بدقة
3 - الطاقة المتجددة والأنظمة الصناعية
-التطبيق 1: التكامل في محولات الطاقة الشمسية ومحولات الطاقة لتحسين الكفاءة والإدارة الحرارية
-التطبيق 2: الاستخدام في الآلات ذات درجات الحرارة العالية ومعدات العمليات الكيميائية لتحسين المتانة والموثوقية
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 12 في عبوات من نوع SEMI 4H (HPSI)
يتم تأمين كل رقاقة رقاقة كربيد السيليكون كربيد السيليكون مقاس 12 بوصة 4H من النوع SEMI (HPSI) بعناية في حامل رقاقة آمن من التفريغ الكهرومغناطيسي (ESD) مبطن برغوة للحماية من الصدمات الميكانيكية. أكياس مزدوجة الطبقات مضادة للكهرباء الساكنة وأكياس محكمة الغلق لمنع دخول الرطوبة وتلوث الجسيمات. يوصى بالتخزين في بيئة غرفة نظيفة، مع الحفاظ على رطوبة بنسبة 40-60% ودرجات حرارة ثابتة. تتوفر خيارات وضع الملصقات المخصصة أو الترميز الشريطي أو خيارات التغليف المتخصصة عند الطلب، مما يضمن أعلى مستوى من الحماية وإمكانية التتبع.
التغليف: مختومة بتفريغ الهواء أو صندوق خشبي أو حسب الطلب.
الأسئلة الشائعة حول رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 12 في 4H من نوع SEMI (HPSI)
س 1: ما هي الخصائص المادية الرئيسية لركيزة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 12 في 4H من النوع SEMI (HPSI)؟
ج1: تشتهر رقاقة رقاقة كربيد السيليكون (SiC) مقاس 12 بوصة من النوع 4H SEMI (HPSI) بموصلية حرارية عالية، وفجوة نطاق واسعة (حوالي 3.26 فولت)، واستقرار كيميائي ممتاز. يوفر هيكلها البلوري سداسي الشكل (4H) قدرة فائقة على حركة الإلكترونات، مما يجعلها مثالية للتطبيقات عالية التردد والطاقة العالية. بالإضافة إلى ذلك، تسمح كثافة عيوبه المنخفضة وخصائصه شبه العازلة بأداء مستقر للجهاز، وتقليل تداخل الإشارة، وتعزيز الموثوقية الكلية.
س2: كيف ينبغي التعامل مع هذا المنتج وتخزينه؟
ج2: ج2: للحفاظ على سلامة الركيزة، من الضروري التعامل مع الرقاقة باستخدام قفازات غرف الأبحاث واستخدام ملاقط غير معدنية أو حاملات الرقاقات لتقليل تلوث الجسيمات. تجنب تعريض الرقاقة لأشعة الشمس المباشرة أو درجات الحرارة القصوى، واحتفظ بها في حاوية آمنة وخالية من الكهرباء الساكنة. قم بتخزين الرقاقة في بيئة منخفضة الرطوبة لمنع العيوب المتعلقة بالرطوبة، مما يضمن جودة سطح ثابتة وصلاحية المنتج لفترة طويلة.
س3: ما هي معايير الجودة والشهادات التي تنطبق على رقاقة رقاقة كربيد السيليكون كربيد السيليكون SiC Substrate 12 في 4H من النوع SEMI (HPSI)؟
ج3: عادةً ما تتوافق رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC Substrate 12 في 4H من النوع SEMI (HPSI) مع معايير SEMI M55، التي تحدد معايير مثل تفاوتات الأبعاد وجودة السطح واتجاه الرقاقة. غالبًا ما يحافظ المصنعون على شهادة ISO 9001 لضمان ممارسات إدارة الجودة. قد تشمل الاختبارات الإضافية فحص العيوب عن طريق الطبوغرافيا بالأشعة السينية أو التلألؤ الضوئي، مما يضمن الحد الأدنى من كثافة الأنابيب الدقيقة والتوحيد العالي للبلورات. تضمن هذه التدابير أداءً موثوقًا وتفي بالمتطلبات الخاصة بالصناعة.
معلومات ذات صلة
1. عملية التصنيع
ينطوي تصنيع رقاقة كربيد السيليكون من نوع (HPSI) 12 في 4H من نوع SEMI على إجراء نمو بلوري محسّن يضمن خصائص عالية النقاء وشبه عازلة. أولاً، يتم تكليف معدات متخصصة بالتحكم في معايير درجة الحرارة والضغط، مما يسمح بتكوين مادة كربيد السيليكون في طبقات موحدة. وتؤدي هذه التقنية، التي غالبًا ما يتم تسهيلها عن طريق الترسيب الكيميائي للبخار، إلى إنشاء ركيزة ذات كثافة عيوب منخفضة للغاية. ونتيجة لذلك، تكتسب الرقاقة السلامة الهيكلية المطلوبة للتطبيقات الإلكترونية عالية الأداء.
وخلال مرحلة ما بعد النمو، يتم تنفيذ خطوات التقطيع والتلميع الدقيق بعناية لتحقيق السماكة والنعومة السطحية المطلوبة. وتتحقق مستويات مختلفة من الفحص من وجود أي بلورات دقيقة أو مخالفات في السطح، مما يضمن الحد الأدنى من الإجهاد والمتانة الفائقة. تُعد إجراءات التشطيب الدقيقة هذه ضرورية لإنتاج تنسيق 12 بوصة بما يتوافق مع معايير SEMI، مما يمهد الطريق لتحقيق إنتاجية متسقة للأجهزة وتعزيز الموثوقية.
2. التطبيقات في الصناعات المتقدمة
تعتمد أنظمة تحويل الطاقة المتقدمة على الخصائص الكهربائية القوية لرقاقة الرقاقة 4H من نوع SEMI (HPSI) للمكونات مثل الثنائيات والترانزستورات عالية الجهد. تمكّن الموصلية الحرارية الممتازة لكربيد السيليكون هذه الأجهزة من العمل بكفاءة تحت ضغط عالٍ، مما يقلل من الحاجة إلى أنظمة التبريد الضخمة. وعلاوة على ذلك، تدعم قوة مجال الانهيار الفائقة للرقاقة سرعات تبديل فائقة السرعة، وهو أمر لا يقدر بثمن في وحدات الطاقة من الجيل التالي للمركبات الكهربائية وتقنيات الطاقة المتجددة.
تستخدم قطاعات الطيران والاتصالات الرئيسية أيضًا رقائق SiC ذات القطر الكبير هذه الرقائق ذات القطر الكبير لتحقيق نقل أسرع للبيانات واستقرار تشغيلي أعلى. ونظرًا لمرونتها المتأصلة في مقاومة الإشعاع، فهي مناسبة تمامًا لمبادرات الأقمار الصناعية ومبادرات الفضاء السحيق حيث يكون طول عمر الجهاز أمرًا بالغ الأهمية. ولا تقتصر فوائد الأداء المحسّن في ظل الظروف القاسية على مكونات المهام الحرجة فحسب، بل تضع أيضاً معايير جديدة في تطبيقات البحث العلمي عالية المتطلبات.
