رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI) الوصف
توفر رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI) منصة قوية للتطبيقات الإلكترونية والإلكترونية الضوئية عالية الأداء. تشتهر هذه المادة بتوصيلها الحراري الفائق، وفجوة النطاق العريضة، وجهد الانهيار الاستثنائي، وتضمن هذه المادة تبديد الحرارة بكفاءة وتشغيل موثوق به في ظل الظروف القاسية. تعمل جودتها شبه العازلة عالية النقاء (HPSI) على تحسين أداء الجهاز من خلال تقليل مسارات التوصيل الطفيلية وتقليل التداخل الكهربائي.
يتم تصنيع كل رقاقة 4H-SiC وفقًا لمعايير SEMI الصارمة، وتخضع كل رقاقة 4H-SiC لمراقبة جودة صارمة لضمان اتساق السماكة والتسطيح وسلامة السطح. يتيح هذا التصنيع الدقيق البنية البلورية المثلى ويقلل من العيوب، مما يجعلها مثالية لأحدث إلكترونيات الطاقة وأجهزة الترددات اللاسلكية وأبحاث أشباه الموصلات المتقدمة. يمكن للمهندسين والباحثين على حد سواء أن يثقوا في هذه الركيزة عالية الجودة من SiC للتطبيقات الصعبة التي تتطلب المتانة والكفاءة والموثوقية.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI)
تتميز رقاقة رقاقة كربيد السيليكون (SiC) من نوع SEMI 4 بوصة 4H (HPSI) بموصلية حرارية عالية، وفجوة نطاق واسعة، وثبات كيميائي ممتاز. هذه السمات تجعلها مثالية للإلكترونيات المتقدمة والمكونات عالية الطاقة والتصنيع الصناعي المتخصص. بالإضافة إلى ذلك، تتيح قوته الميكانيكية الفائقة وكثافة عيوبه المنخفضة تحسين أداء الجهاز وموثوقيته وطول عمره، مما يفتح الباب أمام العديد من التطبيقات التجارية والبحثية والصناعية.
1- التطبيقات الصناعية
-تصنيع السيارات: يُستخدم في إلكترونيات الطاقة عالية الحرارة للمركبات الكهربائية، مما يحسّن كفاءة وحدات الطاقة وطول عمرها.
-المعالجة الكيميائية: يوفّر مقاومة ممتازة للتآكل في البيئات القاسية، مما يتيح مكونات مفاعل أكثر ثباتًا ومتانة.
2- التطبيقات البحثية
-ابتكار أشباه الموصلات: تعمل كمنصة لتطوير الجيل التالي من أجهزة الطاقة التي تعمل بجهد ودرجات حرارة أعلى.
-دراسات علوم المواد: يسمح باستكشاف خصائص أشباه الموصلات ذات فجوة النطاق العريضة، مما يعزز المعرفة في تحسين الأجهزة عالية التردد والطاقة العالية.
3- التطبيقات التجارية
-البنية التحتية للاتصالات السلكية واللاسلكية: تحسين الدوائر عالية التردد لمعدات نقل البيانات الموثوقة وعالية السرعة.
-أنظمة الطاقة المتجددة: يساعد على تحسين كفاءة تحويل الطاقة والإدارة الحرارية في محولات الطاقة الشمسية، مما يدعم حلول توليد الطاقة الأنظف.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 4 في تغليف 4H من نوع SEMI (HPSI)
كل رقاقة من رقائق كربيد السيليكون (4 بوصة 4H من النوع 4H SEMI، HPSI) مختومة بشكل فردي في كيس مضاد للكهرباء الساكنة ومختومة بالتفريغ وموضوعة داخل كاسيت رقاقة صلبة. تحمي طبقة من الغشاء المقاوم للتآكل من دخول الرطوبة، بينما يضمن التخزين المملوء بالنيتروجين بيئة منخفضة الرطوبة. تتوفر خيارات التعبئة والتغليف القابلة للتخصيص، بما في ذلك الكاسيتات المتخصصة والأكياس المفرغة من الهواء ذات الملصقات. تلتزم جميع مناطق المناولة بالمعايير الصارمة لغرف التنظيف لتقليل مخاطر التلوث وضمان سلامة المنتج.
التغليف: مختومة بالتفريغ أو صندوق خشبي أو حسب الطلب.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 4 في 4H من نوع SEMI (HPSI) الأسئلة الشائعة
Q1: ما هي الخصائص المادية الرئيسية لركيزة رقاقة كربيد السيليكون كربيد السيليكون SiC الركيزة 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI)؟
ج 1: رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC Substrate 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI) تُظهر عادةً موصلية حرارية عالية، ومعامل تمدد حراري منخفض، وقوة ميكانيكية ممتازة، وفجوة نطاق واسعة. كما أنها تتميز أيضًا بثبات كيميائي عالٍ وجهد انهيار فائق، مما يجعلها مثالية للتطبيقات ذات درجات الحرارة العالية والطاقة العالية. يساهم التركيب المتعدد 4H متعدد الأنواع في خواصه الكهربائية الفريدة من خلال توفير حركية إلكترونية أعلى، وهو أمر مفيد للأجهزة الإلكترونية التي تتطلب كفاءة وموثوقية عالية.
س2: كيف ينبغي التعامل مع هذا المنتج وتخزينه؟
ج2: عند التعامل مع رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC Substrate 4 من النوع 4H SEMI (HPSI)، يجب على المشغلين استخدام قفازات غرف الأبحاث والتأكد من خلو البيئة من التلوث. يجب تجنب الاتصال المباشر بالأصابع لمنع تراكم الجسيمات أو الخدوش. يجب تخزين الرقاقات في حاويات أو أشرطة كاسيت خالية من الكهرباء الساكنة يتم التحكم في درجة حرارتها مع الحد من التعرض للتغيرات الجوية. يعد وضع الملصقات المناسبة والتكديس الدقيق والحفاظ على ظروف رطوبة منخفضة أمرًا بالغ الأهمية للحفاظ على جودة الرقاقات.
س3: ما هي معايير الجودة والشهادات التي تنطبق على رقاقة رقاقة كربيد السيليكون كربيد السيليكون SiC Substrate 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI)؟
ج 3: عادةً ما تلتزم رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC Substrate 4 في 4H من النوع SEMI (HPSI) بمعايير SEMI M55، التي تحدد مواصفات قطر رقاقة SiC وسمكها وجودة سطحها. وغالباً ما يتبع المصنعون أيضاً ISO 9001 لأنظمة إدارة الجودة، مما يضمن اتساق المنتج وإمكانية تتبعه. قد تكون الشهادات الإضافية، مثل الامتثال لمعايير RoHS وعلامة CE، قابلة للتطبيق اعتمادًا على متطلبات الاستخدام النهائي المحددة أو المبادئ التوجيهية التنظيمية الإقليمية.
معلومات ذات صلة
1. خصائص المواد ومزاياها
صُممت رقاقة كربيد السيليكون من النوع 4H 4H (HPSI) من نوع SEMI (HPSI) المصممة لتطبيقات الطاقة المتقدمة والترددات الراديوية، وهي تتميز بفجوة نطاق واسعة تدعم الاستقرار الحراري الفائق ومجالات الانهيار الكهربائي العالية. وتمكن هذه الخصائص الفريدة الركيزة من التعامل مع الفولتية التشغيلية المرتفعة، مما يجعلها مفيدة بشكل خاص في محولات الطاقة وأجهزة التحويل حيث تكون الكفاءة والموثوقية أمرًا بالغ الأهمية. وعلاوة على ذلك، يسمح التركيب البلوري ل 4H-SiC بتحسين حركة الإلكترونات، وهو ما يترجم مباشرة إلى أداء أسرع للأجهزة وتقليل فقد الطاقة مقارنة بمواد أشباه الموصلات الأخرى.
ومن خلال الجمع بين النقاء العالي والطبيعة شبه العازلة، تضمن الرقاقة عزلًا ممتازًا بين مناطق الجهاز النشطة، مما يقلل بشكل فعال من الحديث المتبادل وتيارات التسرب. هذه الخاصية ضرورية لأنظمة الاتصالات وتقنيات الاستشعار التي تتطلب تحكمًا دقيقًا في الإشارة. يوفر الشكل بقطر 4 بوصة مساحة سطح أكبر لتصنيع الأجهزة، مما يتيح في النهاية إنتاجية أعلى وتكاليف إنتاج أقل للمصنعين المتخصصين في الدوائر عالية التردد وإلكترونيات الطاقة.
2. التطبيقات في الصناعات المتقدمة
من خلال تسخير التوصيل الحراري القوي إلى جانب التركيب الكيميائي القوي، تجد رقاقة كربيد السيليكون 4H من النوع SEMI (HPSI) مقاس 4 بوصة استخدامًا واسع النطاق في أنظمة الفضاء وشبكات توزيع الطاقة. ومن خلال الحفاظ على تشغيل مستقر عبر نطاقات درجات حرارة واسعة، تُعد هذه الرقائق مثالية للنشر في الأقمار الصناعية وبعثات الفضاء السحيق التي تتطلب مكونات أشباه موصلات متينة وفعالة. بالإضافة إلى ذلك، تعزز مرونتها في مواجهة الأضرار الإشعاعية من الموثوقية في البيئات الصعبة التي قد تفشل فيها المواد التقليدية قبل الأوان.
ومن أجل دفع حدود الطاقة المتجددة، تُعد هذه الركيزة المتطورة من SiC جزءًا لا يتجزأ من الجيل التالي من محولات الطاقة الشمسية وأجهزة التحكم في توربينات الرياح. ومع تحول السوق العالمية نحو مصادر طاقة أكثر اخضراراً، تصبح القدرة على تحسين التعامل مع الطاقة وتقليل خسائر التحويل أمراً حيوياً بشكل متزايد. وبالتالي، فإن العديد من أنظمة البطاريات الصناعية عالية الجهد تستفيد من جهد الانهيار المرتفع للرقاقة لتشكيل وحدات طاقة مدمجة وعالية الكفاءة، مما يلبي متطلبات البنى التحتية الحديثة للطاقة المستدامة.
