رقاقة رقاقة كربيد السيليكون CY8564 رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في 3C N-type

رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في 3C من النوع N الوصف

توفر رقاقة كربيد السيليكون من النوع 3C N من النوع 2 بوصة من رقاقة كربيد السيليكون (SiC) التي نقدمها مقاس 2 بوصة توصيلًا حراريًا استثنائيًا وطاقة فجوة نطاق واسعة وقوة ميكانيكية ممتازة، مما يجعلها خيارًا مثاليًا لتطبيقات الأجهزة الإلكترونية المتطورة للطاقة والأجهزة عالية التردد. ويضمن النوع المتعدد 3C بنية بلورية مستقرة توفر أداءً فائقًا في البيئات الصعبة، بما في ذلك درجات الحرارة المرتفعة والجهود العالية. تتيح هذه الخصائص الفريدة من نوعها التشغيل الموثوق في ظل ظروف قاسية، مما يقلل من فقدان الطاقة ويضمن إدارة الطاقة بكفاءة.

يتم تصنيع كل رقاقة من رقائق SiC وفقًا لمعايير جودة صارمة، وتخضع كل رقاقة من رقائق SiC لفحص دقيق للحفاظ على كثافة منخفضة للعيوب ومستويات منشطات موحدة. هذا الاهتمام بالتفاصيل يزيد من إنتاجية الجهاز وقابليته للتكرار، مما يوفر منصة متسقة للبحث والتطوير والتصنيع على نطاق تجاري. سواءً لأبحاث أشباه الموصلات المتقدمة أو للأنظمة الصناعية عالية الأداء، فإن ركيزة SiC من النوع N من رقائق كربيد السيليكون مقاس 2 بوصة 3C تعد بالموثوقية والتميز في الأداء.

رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC Substrate 2 في تطبيقات النوع 3C N

توفر رقاقة كربيد السيليكون (رقاقة كربيد السيليكون (SiC Substrate 2 في 3C من النوع N) مزيجًا من فجوة النطاق العريضة، والتوصيل الحراري العالي، والاستقرار الكيميائي الممتاز. تتيح هذه الخصائص الفريدة أداءً فائقًا في الأجهزة عالية الطاقة وعالية التردد مع الحفاظ على المتانة في البيئات القاسية. كما أن موثوقيتها وكفاءتها تجعلها منصة مثالية للتطبيقات المتنوعة في مختلف الصناعات، بدءًا من الإلكترونيات المتقدمة إلى أنظمة الطاقة وما بعدها.

1- تطبيقات الإلكترونيات وأشباه الموصلات

-تحويل الطاقة: التبديل عالي الجهد المحسّن في محولات الطاقة الشمسية وإمداداتالطاقة الصناعية

-أجهزة التردد اللاسلكي: ترانزستورات عالية التردد لمحطات الاتصالات السلكية واللاسلكية والشبكات اللاسلكية

2- تطبيقات الطاقة والطاقة المتجددة

-المعدات الكهروضوئية: ركائز مستقرة لأنظمة تصنيع الألواح الشمسية واختبارها

-إلكترونيات توربينات الرياح: وحدات تحكم متينة لتنظيم الطاقة بكفاءة

3 - الأجهزة البحثية والعلمية

-دراسات علوم المواد: التحقيق في الهياكل البلورية وأداء الأجهزة في ظل الظروف القاسية

-تطوير أجهزة الاستشعار المتقدمة: ركائز استشعار قوية للكشف عن درجة الحرارة والضغط والكشف الكيميائي

رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في تغليف 3C من النوع N

يتم وضع كل رقاقة من رقائق كربيد السيليكون بعناية بين طبقات رغوية ناعمة وآمنة من التفريغ الكهرومغناطيسي ومختومة في كيس مفرغ من الهواء مضاد للكهرباء الساكنة للحماية من الرطوبة والتلوث. ثم تعبأ الرقاقات المختومة في عبوات متينة محكمة الإغلاق. يجب تخزين الرقائق في بيئة غرف نظيفة يتم التحكم في رطوبتها. كما نقدم أيضًا ملصقات مخصصة وسماكات رغوة متخصصة وأحجام حاويات مصممة خصيصًا عند الطلب لتتناسب مع متطلبات المناولة أو الشحن المحددة.

التغليف: مختومة بالتفريغ أو صندوق خشبي أو حسب الطلب.

رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في 3C من النوع N الأسئلة الشائعة

Q1: ما هي الخصائص المادية الرئيسية لركيزة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC الركيزة 2 في 3C N- نوع N؟

ج 1: تُظهر ركائز رقاقة كربيد السيليكون 2 في 3C من النوع N 2 بوصة من النوع SiC عادةً فجوة نطاق عريضة تبلغ حوالي 2.2 فولت وموصلية حرارية عالية وخمول كيميائي فائق وقوة ميكانيكية قوية. يوفر النوع المتعدد 3C مزايا فريدة لتطبيقات الطاقة والتطبيقات عالية التردد. يضمن التطعيم من النوع N تركيزًا إلكترونيًا مضبوطًا، مما يتيح توصيلًا كهربائيًا مستقرًا. هذه الركائز مناسبة بشكل خاص لتطوير الأجهزة المتقدمة في البيئات القاسية أو عالية الطاقة.

س2: كيف ينبغي التعامل مع هذا المنتج وتخزينه؟

ج2: هذه الركائز هشة ويجب التعامل معها باستخدام قفازات نظيفة وغير كاشطة في بيئة خاضعة للتحكم لمنع التلوث أو التلف. تجنب لمس الأسطح بالأيدي العارية أو الأدوات التي يمكن أن تسبب خدوشًا أو جزيئات. قم بتخزينها في منطقة نظيفة يتم التحكم في درجة حرارتها مع رطوبة منخفضة. استخدم ناقلات أو حاويات خاصة للنقل للحفاظ على سلامة الركيزة وتقليل الإجهاد الميكانيكي.

س3: ما معايير الجودة والشهادات التي تنطبق على ركيزة رقاقة كربيد السيليكون كربيد السيليكون SiC الركيزة 2 في 3C من النوع N؟

ج3: عادةً ما تلبي رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC Substrate 2 في النوع 3C N- متطلبات النقاء الصارمة وكثافة العيوب على النحو المبين في ISO 9001 ومعايير جودة أشباه الموصلات ذات الصلة. وغالبًا ما يطبق المصنعون طرق فحص متقدمة مثل طبوغرافيا الأشعة السينية والتلألؤ الضوئي للتحقق من الجودة البلورية. وقد تلتزم هذه الركائز أيضًا بتوجيهات RoHS وREACH، مما يضمن الامتثال للوائح البيئة والسلامة للتوزيع العالمي.

معلومات ذات صلة

1. خصائص المواد ومزاياها

تتكون رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في 3C من النوع N من رقاقة كربيد السيليكون هذه من نوع متعدد مكعب معروف بقدراته الكهربائية والحرارية الممتازة. تدعم فجوة النطاق العريضة للمادة التشغيل في درجات الحرارة العالية وتقلل من فقدان الطاقة، وهو أمر مفيد بشكل خاص في الأنظمة المدمجة التي تتطلب أداءً موثوقًا ومتسقًا. وعلاوة على ذلك، تساعد مقاومتها الكيميائية الرائعة في الحفاظ على سلامة الركيزة أثناء خطوات المعالجة الصعبة، مما يتيح التحمل في البيئات الصناعية القاسية.

ويميز الاستقرار غير المسبوق في البنية الشبكية رقاقة 3C SiC عن غيرها من ركائز أشباه الموصلات الأخرى، مما يضمن الحد الأدنى من العيوب البلورية على الرغم من ظروف الإنتاج الصعبة. وبالإضافة إلى ذلك، تضمن المنشطات من النوع N توصيل الإلكترون المتحكم فيه، مما يؤدي إلى حركية عالية للحامل، وهو أمر ضروري لتصنيع الأجهزة المتقدمة. وتجعل هذه الخصائص الرقاقة منافسًا قويًا لإلكترونيات الطاقة، حيث تتطلب عددًا أقل من العناصر الموصلة وتوفر إدارة فائقة للتيار الكهربائي.

2. التطبيقات في الصناعات المتقدمة

تستفيد تطبيقات الطاقة المتطورة من مرونة الرقاقة في ظروف درجات الحرارة العالية والجهد العالي، مما يجعلها مرشحة رئيسية لوحدات طاقة السيارات الكهربائية ومحولات الطاقة المتجددة. تضمن قدرتها على التعامل مع الأحمال الحرارية الكبيرة دون تدهور الأداء تحسين الكفاءة في أنظمة السيارات والفضاء وأنظمة الصيانة التنبؤية، حيث تكون كثافة الطاقة والقدرة على التحمل التشغيلي أمرًا بالغ الأهمية.

كما تستكشف قطاعات تكنولوجيا النانو المتنوعة وقطاعات الإلكترونيات الضوئية أيضًا هذه الركيزة 3C من النوع N SiC للجيل القادم من أجهزة الاستشعار وأجهزة الإرسال والاستقبال. ويعزز مزيجها الفريد من القوة الميكانيكية وكثافة العيوب المنخفضة موثوقية الأجهزة المستخدمة في البنية التحتية للاتصالات وأنظمة الرادار ومختلف التقنيات الناشئة. وبالتالي، فإن هذه الرقاقة تدعم تطوير المنتجات المتطورة، مما يجعلها في طليعة الصناعات المتعددة ذات التقنية العالية.