وصف رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 2 في 4H من النوع SEMI (HPSI)
اختبر أداءً استثنائيًا مع رقاقة رقاقة كربيد السيليكون (SiC) 2 بوصة 4H من النوع SEMI (HPSI). تشتهر هذه الركيزة بفجوة نطاقها الواسعة وتوصيلها الحراري المتميز، وتوفر معالجة فائقة للطاقة وتدعم التشغيل عالي التردد. يوفر النوع المتعدد 4H حركية إلكترونية استثنائية، مما يجعله مناسبًا لأجهزة الطاقة المتقدمة وتطبيقات الترددات اللاسلكية والإلكترونيات عالية الحرارة. وتساعد خصائصه شبه العازلة على تقليل التوصيل الطفيلي، مما يضمن تشغيل الجهاز بكفاءة أكبر وتقليل فقد الطاقة.
تخضع كل رقاقة مصنوعة تحت رقابة صارمة على الجودة ووفقًا لمعايير SEMI، وتخضع كل رقاقة لفحص دقيق لتوحيد السماكة وانخفاض كثافة العيوب وجودة السطح. يضمن ذلك أداءً موثوقًا ومتسقًا، مما يسمح للمهندسين والباحثين بتخطي حدود إلكترونيات الطاقة والاتصالات السلكية واللاسلكية وغيرها من التطبيقات الصعبة. ثق برقاقة رقاقة SiC الخاصة بنا لما تتميز به من متانة مثبتة وثبات حراري وتميز لا مثيل له في المواد.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 2 في تطبيقات من نوع 4H SEMI (HPSI)
تُعرف رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC Substrate 2 في 4H من النوع SEMI (HPSI) بفجوة نطاقها العريضة الممتازة وثباتها الكيميائي القوي وتوصيلها الحراري العالي. وهذه الخصائص الرئيسية تجعلها خياراً متعدد الاستخدامات في مختلف المجالات، مما يتيح حلولاً موثوقة وعالية الأداء في المجالات الصناعية والبحثية والتجارية. وتدعم هذه الركيزة التطورات المبتكرة في مجال الإلكترونيات المتقدمة وما بعدها، بفضل متانتها الفائقة وقدراتها الفائقة على التعامل مع الطاقة.
1- التطبيقات الصناعية
-أجهزة الاستشعار ذات درجات الحرارة العالية ووحدات التحكم في الطاقة المستخدمة في إنتاج السيارات، حيث يكون الاستقرار الحراري وقوة الانهيار العالية أمرًا بالغ الأهمية.
-مكوّنات مقاومة للتآكل في المعالجة الكيميائية والبتروكيميائية، مستفيدةً من الخمول الكيميائي الممتاز للرقاقة.
2- التطبيقات البحثية
-الجيل التالي منالنماذج الأولية لأشباه الموصلات التي تركز على مواد ذات فجوة نطاق واسعة، ودعم الدراسات في مجال الإلكترونيات المتقدمة.
-تجارب توصيف المواد في مختبرات البحث والتطوير الجامعية والخاصة، مع الاستفادة من الجودة البلورية المتسقة للركيزة.
3- التطبيقات التجارية
-إلكترونيات الطاقة عالية الكفاءة في أنظمة الطاقة المتجددة مثل محولات الطاقة الشمسية، باستخدام الموصلية الحرارية الفائقة للركيزة.
-حلول الشحن السريع ووحدات طاقة الأجهزة المحمولة للإلكترونيات الاستهلاكية، مستفيدة من الموثوقية المحسّنة وانخفاض توليد الحرارة.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في تغليف من نوع 4H SEMI (HPSI)
يتم تأمين كل رقاقة كربيد السيليكون 2 في رقاقة كربيد السيليكون 4H من النوع SEMI (HPSI) مقاس 2 بوصة باستخدام حشوات رغوية مضادة للكهرباء الساكنة داخل حاوية رقاقة نظيفة ومغلقة بإحكام لمنع تلوث الغبار أو الجسيمات. ثم تُغلق الحاوية بعد ذلك بتفريغ الهواء في أكياس حاجزة للرطوبة وتوضع عليها علامات لإمكانية التتبع. يتطلب التخزين طويل الأجل بيئة محكومة ذات رطوبة منخفضة ودرجة حرارة ثابتة. يمكن ترتيب حلول تغليف مخصصة لتلبية متطلبات الشحن أو المناولة أو التخزين الفريدة.
التغليف: مختومة بالتفريغ أو صندوق خشبي أو حسب الطلب.
رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في 4H من نوع SEMI (HPSI) الأسئلة الشائعة
س 1: ما هي الخصائص المادية الرئيسية لركيزة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC 2 في 4H من النوع SEMI (HPSI)؟
ج1: يوفر النوع 4H المتعدد من كربيد السيليكون كربيد السيليكون فجوة نطاق عريضة تبلغ حوالي 3.26 فولت وموصلية حرارية استثنائية وقوة مجال كهربائي حرجة عالية. كما أنها تُظهر أيضًا الحد الأدنى من العيوب الشبكية، مما يتيح حركة ممتازة للناقل. وهذه الخصائص تجعل الرقاقة مثالية للتطبيقات عالية الطاقة والترددات العالية ودرجات الحرارة العالية. وعلاوة على ذلك، يضمن هيكلها البلوري عالي الجودة الحصول على ملامح منشطات موحدة وأداء موثوق به في تصنيع أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة.
س2: كيف يجب التعامل مع هذا المنتج وتخزينه؟
ج2: تتطلب رقائق كربيد السيليكون كربيد مناولة دقيقة لتجنب خدوش السطح وتلوث الجسيمات. استخدم قفازات نظيفة وغير كاشطة ولا تلامس الحواف إلا عند النقل. قم بتخزين الرقائق في حاوية متوافقة مع غرف التنظيف مع الحد الأدنى من التعرض للرطوبة والجسيمات المحمولة في الهواء. الحفاظ على بيئة مضبوطة مع ثبات مستويات درجة الحرارة والرطوبة. فحص منطقة التخزين بانتظام بحثًا عن مخاطر التلوث للحفاظ على سلامة الرقاقات.
س3: ما هي معايير الجودة والشهادات التي تنطبق على رقاقة رقاقة كربيد السيليكون رقاقة SiC Substrate 2 في 4H من النوع SEMI (HPSI)؟
ج3: تتوافق هذه الرقاقات عادةً مع معايير SEMI M55 و M59 لمواصفات رقاقة SiC وتعريفات الرقاقة. وتخضع لعمليات صارمة لمراقبة الجودة، بما في ذلك الفحص البصري والتوصيف الكهربائي. تلتزم العديد من الشركات المصنعة بمعيار ISO 9001 لإدارة الجودة وISO 14001 للممارسات البيئية. وغالبًا ما يتم السعي للحصول على شهادات إضافية مثل IATF 16949 للتطبيقات المتعلقة بالسيارات، مما يضمن الموثوقية واتساق الأداء.
معلومات ذات صلة
1. خصائص المواد ومزاياها
تدمج رقاقة رقاقة كربيد السيليكون SiC Substrate 2 في 4H من النوع SEMI (HPSI) التي تجمع بين التوصيل الحراري الاستثنائي وفجوة النطاق الواسعة، وتتميز بتحملها لدرجات الحرارة العالية والعزل الكهربائي الفائق. تم تصميم هيكلها البلوري لإظهار كثافة عيوب شبكية منخفضة، مما يضمن زيادة حركة الناقل والأداء المتسق أثناء التشغيل. تُظهر هذه الرقاقة المتخصصة أيضًا ثباتًا كيميائيًا ملحوظًا، مما يجعلها مقاومة للبيئات المسببة للتآكل وبالتالي مناسبة للاستخدام في الظروف الصعبة.
كما يعزز التحكم الدقيق في مستويات المنشطات من خصائصها شبه العازلة، مما يؤدي إلى تقليل تيارات التسرب وتحسين وضوح الإشارة. ونظرًا لاتساق ملامح المقاومة عبر قطر 2 بوصة، تُظهر الأجهزة المصنعة على هذه الركيزة خصائص كهربائية مستقرة وأقل قدر من التداخل. وبالإضافة إلى ذلك، تقلل كثافة الخلع المنخفضة المتأصلة في النوع المتعدد 4H من احتمالية تعطل الجهاز، مما يعزز موثوقية هذه الرقاقة للتطبيقات الإلكترونية المتقدمة.
2. التطبيقات في الصناعات المتقدمة
أثبتت الأبحاث المستفيضة فعالية رقاقة HPSI 4H-SiC في الإلكترونيات عالية الجهد، خاصةً في مكونات تبديل الطاقة لأنظمة تحويل الطاقة. وتستفيد الصناعات التي تتطلب أجهزة مدمجة لكنها قوية، مثل مصنعي السيارات الكهربائية، استفادة كبيرة من قدرة الرقاقة على التعامل مع سرعات التحويل السريعة مع تقليل فقدان الطاقة. وتتماشى هذه الميزة المتميزة مع حاجة السوق المتزايدة إلى حلول فعالة تدعم أهداف الطاقة المستدامة.
كما تستفيد الابتكارات التكنولوجية في أنظمة الفضاء الجوي من الأداء القوي لهذه الركيزة في ظل الظروف القاسية. تضمن مقاومة الرقاقة القوية للإشعاع وقدرتها السريعة على تبديد الحرارة التشغيل الموثوق به في تطبيقات الفضاء الخارجي والبيئات عالية الإشعاع. وتضع نقاط القوة الفريدة هذه رقاقة رقاقة كربيد السيليكون ركيزة SiC 2 في 4H من النوع SEMI (HPSI) كأصل محوري في تصميم وتصنيع أجهزة الجيل التالي.
