المنتجات
- المنتجات
- الفئات
- المدونة
- البودكاست
- التطبيق
- المستند
| رقم الكتالوج | GA2156 |
| النقاء | 99.99% |
| الصيغة الجزيئية | GaSb |
| القطر | 2", 3", 4" |
| السُمك | 500 ± 25 ميكرومتر، 600 ± 25 ميكرومتر، 800 ± 25 ميكرومتر |
| التوجيه | (100) / (111) ±0.5° |
| تشطيب السطح | مصقول/ غير مصقول/ مصقول من جانب واحد (SSP)/ مصقول من جانبين (DSP) |
تقدم Stanford Advanced Materials (SAM) ركيزة GaSb أحادية البلورة وتوفر للعملاء أوسع خيار من مادة GaSb مع توحيد عالٍ للخصائص الكهربائية وجودة سطح ممتازة.
المنتجات ذات الصلة:ركائز نيتريدالألومنيوم،زرنيخيدالغاليوم(GaAs)، مسحوق نيتريد الغاليوم( GaN)، سيلينيد الغاليوم (III) (Ga2Se3).
أرسل لنا استفسارًا اليوم لمعرفة المزيد والحصول على أحدث الأسعار. شكرًا لك!
حقوق الطبع والنشر © 1994-2025 Stanford Advanced Materials مملوكة لشركة Oceania International LLC، جميع الحقوق محفوظة.
GHS07، GHS09