غير متوفر (غير متوفر) غاليوم تلوريد (GaTe) بلورة GA5392

رقم الكتالوج	GA5392
المواد	GaTe
رقم سجل دائرة المستخلصات الكيميائية	12024-14-5
البنية البلورية	الطور الأحادي الكلور
النقاء	99.9999%

بلورات غاليوم تيلورايد (GaTe) هي مواد نصف ناقلة، مما يعني أن لديها توصيل كهربائي وسطي بين المعادن والعوازل. مواد ستانفورد المتقدمة (SAM) تقدم منتجات بصرية مشهورة بجودتها الاستثنائية، وكل ذلك بأسعار تنافسية للغاية.

الاستفسار

المواصفات

التعليقات

التوصية الأخيرة

Copper Gallium (Cu/Ga) Evaporation Materials

VD0621 مواد تبخير النحاس الغاليوم (Cu/Ga) VD0621

Gallium (III) Nitrate Hydrate (Ga(NO3)3) Powder (CAS No.69365-72-6)

مسحوق هيدرات الغاليوم (III) نترات الغاليوم (GA1145) (الرقم في سجل المستخلصات الكيميائية 69365-72-6)

مسحوق كبريتات الغاليوم (III) GA2153 (Ga2(SO4)3) (الرقم في سجل المستخلصات الكيميائية 13494-91-2)

GA2623 Gallium (III) Fluoride Powder, GaF3 Powder (CAS 7783-51-9)

GA2623 مسحوق الغاليوم (III) فلوريد الغاليوم (III)، مسحوق GaF3 (رقم المختصر الكيميائي: 7783-51-9)

GA2624 Gallium (III) Iodide Powder, GaI3 Powder (CAS 13450-791-4)

مسحوق يوديد الغاليوم (III) GA2624، مسحوق يوديد الغاليوم (CA 13450-91-4)

GA3162 غاليوم (III) أسيتيل أسيتونات الغاليوم (رقم المختصر الكيميائي: 14405-43-7)

Gallium Bromide (GaBr3) (CAS No. 13450-88-9)

BR3879 بروميد الغاليوم (GaBr3) (رقم CAS 13450-88-9)

بلورةكبريت الغاليوم (GaS) CY4391

طلب عرض أسعار

أرسل لنا استفسارًا اليوم لمعرفة المزيد والحصول على أحدث الأسعار. شكرًا لك!

* اسمك

* بريدك الإلكتروني

للمعالجة السريعة، يرجى استخدام عنوان البريد الإلكتروني الخاص بشركتك.

* اسم المنتج

* هاتفك

* البلد

الإمارات العربية المتحدة

التعليقات

أود الاشتراك في القائمة البريدية لتلقي التحديثات من Stanford Advanced Materials.

أرفق الرسومات:

تخزين الملفات هنا أو

* التحقق من الرمز

أنواع الملفات المقبولة: PDF، png، jpg، jpeg. قم بتحميل عدة ملفات مرة واحدة؛ يجب أن يكون حجم كل ملف أقل من 2 ميغابايت.

حجم البلورة	>1 سم
خصائص المواد	1.65 eV شبه موصل مباشر
هيكل البلورة	مرحلة مائلة
بارامترات وحدة الخلية	a = 0.416 نانومتر، b = 0.934 نانومتر، c = 1.086 نانومتر، α = 106.05 β = 90، γ = 102.8°
طريقة النمو	نمو بريدجمان
النقاء	>99.9999 %

حجم البلورة	>1 سم
خصائص المواد	1.65 eV شبه موصل مباشر
بنية البلورة	مرحلة وحيدة الميل
معلمات وحدة الخلية	a = 0.416 نانومتر، b = 0.934 نانومتر، c = 1.086 نانومتر، α = 106.05 β = 90، γ = 102.8°
طريقة النمو	نمو بريدجمان
نقاء	>99.9999 %

غير متوفر (غير متوفر) غاليوم تلوريد (GaTe) بلورة GA5392

وصف بلورة جاليوم تيلوريد (GaTe)

مواصفات بلورة جاليوم تيلوريد (GaTe)

تطبيق بلورة جاليوم تيلوريد (GaTe)

تعبئة بلورة جاليوم تيلوريد (GaTe)

المواصفات

SDS

الحالة

تقييمات العملاء

التوصية الأخيرة

طلب عرض أسعار

هل تحتاج إلى مساعدة؟

الفئات الشائعة

شركتنا